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J-GLOBAL ID：200903022540085489

電界効果トランジスタ

Inventor： 天野 好章 ,  谷口 光弘
Applicant, Patent owner： 株式会社ジャパンエナジー
Agent (1)： 並川 啓志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992294032
Publication number (International publication number)：1994120250
Application date： Oct. 08, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】高いキャリア濃度のn型GaAs層により利得を向上し、かつ、ゲート耐圧の低下が起こらない電界効果トランジスタの構成を提供する。【構成】(a)厚さd<SB>2</SB>[cm]のn型GaAsからなるチャンネル層と、(b)該チャンネル層上に形成された厚さd<SB>1</SB>[cm]の実質的に不純物を含有しないAlGaAs層と、(c)該チャンネル層とオーミック接合するソース電極およびドレイン電極と、(d)前記ソース電極およびドレイン電極間で前記AlGaAs層とショットキー接合を形成するゲート電極とを含み、(e)前記チャンネル層のキャリア濃度N<SB>d</SB>[/cm<SP>3</SP>]が(5×10<SP>12</SP>)/(d<SB>1</SB>+d<SB>2</SB>)<N<SB>d</SB><(2×10<SP>18</SP>×d<SB>1</SB>)/d<SB>2</SB>を満たす。

Claim (excerpt)：

(a)厚さd<SB>2</SB>[cm]のn型GaAsからなるチャンネル層と、(b)該チャンネル層上に形成された厚さd<SB>1</SB>[cm]の実質的に不純物を含有しないAlGaAs層と、(c)該チャンネル層とオーミック接合するソース電極およびドレイン電極と、(d)前記ソース電極およびドレイン電極間で前記AlGaAs層とショットキー接合を形成するゲート電極とを含み、(e)前記チャンネル層のキャリア濃度N<SB>d</SB>[/cm<SP>3</SP>]が(5×10<SP>12</SP>)/(d<SB>1</SB>+d<SB>2</SB>)<N<SB>d</SB><(2×10<SP>18</SP>×d<SB>1</SB>)/d<SB>2</SB>を満たすことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812