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J-GLOBAL ID：200903022544340882

絶縁ゲート型半導体装置とその製造方法

Inventor： 長谷川 滋
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995058406
Publication number (International publication number)：1996255902
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 トレンチ溝に埋め込まれたポリシリコンのクラック耐量が高く、均一なソース層の安定した形成が可能なトレンチゲート型半導体装置とその製造方法を得る。【構成】 トレンチゲートとソース電極を絶縁するための絶縁膜を、ソース層を形成するための拡散ソースを含んだ絶縁酸化膜で形成し、自己整合的に熱拡散によりトレンチゲートに沿ったソース層の形成を行う。【効果】 本発明によれば、トレンチ溝に埋め込まれたポリシリコンのクラック耐量が高く、トレンチ間隔が小さいトレンチゲート型半導体素子においても、トレンチ形成時の位置ずれの影響を受けずに、トレンチ溝全側面において濃度、形状が均一で、カソード電極との接触状態も同一であるNソース層を、安定して得ることが可能となるほか、同時にポリシリコンゲートの配線抵抗の低減が可能となる。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体層に設けられたトレンチ部に、ゲート電極を埋設してなるトレンチゲート型の絶縁ゲート型半導体装置において、前記トレンチ部に埋設されたゲート電極の上部両端が、弧状に構成されていることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。