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J-GLOBAL ID：200903022552966936

窒化ガリウム系半導体膜を形成する方法、および半導体基板生産物

Inventor：
上野 昌紀

About 上野 昌紀

, 
永井 陽一

About 永井 陽一


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (5)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003396183
Publication number (International publication number)：2005159047
Application date： Nov. 26, 2003
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：
【課題】良好な結晶品質の窒化ガリウム系半導体層を有する窒化ガリウム系半導体デバイスを提供する。【解決手段】 半導体発光デバイス31は、主面33aを有する窒化ガリウム支持基体33と、n型のGaN層といった窒化ガリウム系半導体層35とを備える。窒化ガリウム支持基体33は主面33aを有しており、窒化ガリウム系半導体層35は、この主面33a上に設けられている。主面33aの法線33bと窒化ガリウム支持基体33のC軸33cとは角度Angle2(以下、オフ角と称する)をなす。窒化ガリウム支持基体33のオフ角がゼロ度に近づくにつれて、窒化ガリウム系半導体層35の表面に六角錘状の突起が目立つようになる。また、この角度は、2度未満であることが好ましい。【選択図】 図5
Claim (excerpt)：
窒化ガリウム系半導体膜を形成する方法であって、 窒化ガリウム基板を準備する工程を備え、前記窒化ガリウム基板の主面の全体において該主面の法線と前記窒化ガリウム基板のC軸とは2度未満の角度をなしており、 V族原料およびIII族原料を供給して前記窒化ガリウム基板の前記主面上に窒化ガリウム系半導体膜を形成する工程を備える、ことを特徴とする方法。
IPC (2)：
H01L21/205 ,  H01L33/00
FI (2)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C
F-Term (21)：
5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045EE12 ,  5F045HA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 窒化物半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-206460   Applicant：日亜化学工業株式会社
Cited by examiner (2)

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