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J-GLOBAL ID：200903022561806534

プラズマ処理方法及びその装置

Inventor： 奧村 智洋 ,  中山 一郎 ,  原口 秀夫
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996041607
Publication number (International publication number)：1997237776
Application date： Feb. 28, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 誘電板7の内壁面のうち、中心付近で特に発生するスパッタリングを抑制するとともに、ダストの発生が少なく、メンテナンス頻度が小さく、プラズマ処理の再現性に優れるプラズマ処理方法及び装置を提供することを目的とする。【解決手段】 ドーム状渦形放電コイル3とその中心に接続した高周波電源2とを備え、放電コイル用高周波電源2によりドーム状渦形放電コイル3に高周波電圧を印加することにより、内壁面が平面である誘電板7を会してチャンバ1内に高周波磁界を発生させ、高周波磁界による誘電電界で電子を加速し、チャンバ1内にプラズマを発生させて、基板5を処理するプラズマ処理方法及び装置において、誘電板7を加熱手段にて80°C以上に加熱する。

Claim (excerpt)：

上壁を誘電板で構成したチャンバと、この誘電板の外側に設けた渦形放電コイルと、この渦形放電コイルの中心に高周波電圧を印加するための高周波電源とを用いてプラズマ処理をするプラズマ処理方法において、前記誘電板の内壁面を平面として、かつ前記渦形放電コイルが、その中心に近いほど前記誘電板の内壁面との距離が大きくなるように構成し、前記誘電板を80°C以上の状態にしてプラズマ処理をするプラズマ処理方法。

IPC (8)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (8)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 C ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 被加熱掃去面を備えるプラズマエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-246240   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-067792   Applicant：堀池靖浩, 株式会社神戸製鋼所
• プラズマ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-013981   Applicant：東京エレクトロン株式会社