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J-GLOBAL ID：200903022569798530

ダイヤモンドの表面処理方法

Inventor： クルーガー アンケ ,  片岡文昭 ,  大澤映二
Applicant, Patent owner： 双葉電子工業株式会社 ,  有限会社ナノ炭素研究所
Agent (1)： 有賀 正光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002205973
Publication number (International publication number)：2004043265
Application date： Jul. 15, 2002
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：

【課題】ナノダイヤモンド表面処理方法において、熱硝酸、次亜塩素酸等の強酸を使用することなく、ナノダイヤモンドの表面に付着したオニオン層やグラファイト層等の付着物を除去すること。【解決手段】水とナノダイヤモンドを封入した金製カプセル11を、水を満たした圧力反応容器12に収めてある。圧力反応容器12の開口部には、密封用栓14をはめ、キャップ13によって密封用栓14を締め付けてある。この状態で電気炉16を加熱し、圧力反応容器12内の水の温度を800°C、圧力を200MPaに所定時間(8時間)保持して、圧力反応容器12と金製カプセル11内の水を超臨界水状態にして、金製カプセル11内のナノダイヤモンドを酸化処理する。所定時間後金製カプセル11を開いて、表面処理されたナノダイヤモンドを取り出す。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

圧力反応容器に水とナノダイヤモンドを入れ、その圧力反応容器を加熱してその圧力反応容器内の水を超臨界水状態にし、その超臨界水状態を一定時間保持してナノダイヤモンドの付着物を除去することを特徴とするナノダイヤモンドの表面処理方法。

IPC (4)：

C01B31/06 ,  B01J3/00 ,  B01J3/03 ,  B01J3/04

FI (5)：

C01B31/06 A ,  B01J3/00 A ,  B01J3/03 A ,  B01J3/04 A ,  B01J3/04 E

F-Term (5)：

4G146AA04 ,  4G146AB01 ,  4G146BC28 ,  4G146CA16 ,  4G146CB31