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J-GLOBAL ID：200903022580433269

磁気メモリ素子

Inventor： 田沼 俊雄 ,  吉川 秀樹 ,  及川 悟 ,  吉岡 功一 ,  高橋 誠一郎
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999247678
Publication number (International publication number)：2001067862
Application date： Sep. 01, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 相対的に保持力の大きい磁性材料からなるハード層3と、相対的に保持力の小さい磁性材料からなるソフト層1とを非磁性層2を介して積層した磁気抵抗効果膜からなるメモリセルを、互いに直交する第1の電流線6と第2の電流線4の交差部分に配置した磁気メモリ素子において、メモリセルに対する書き込み及び読み出しの際の動作電流を低減する。【解決手段】 ソフト層1またはハード層3と磁気交換結合するようにソフト層1またはハード層3の近傍に配置され、かつ磁気交換結合するソフト層1またはハード層3の磁化容易軸方向において、ソフト層1またはハード層3の長さよりも長いストライプ状の磁性材料層5が設けられていることを特徴としている。

Claim (excerpt)：

相対的に保磁力の大きい磁性材料からなるハード層と、相対的に保磁力の小さい磁性材料からなるソフト層とを非磁性層を介して積層した磁気抵抗効果膜からなるメモリセルを、互いに直交する第1の電流線と第2の電流線の交差部分に配置した磁気メモリ素子であって、前記ソフト層または前記ハード層と磁気交換結合するように前記ソフト層または前記ハード層の近傍に配置され、かつ磁気交換結合する前記ソフト層または前記ハード層の磁化容易軸方向において前記ソフト層または前記ハード層の長さよりも長いストライプ状の磁性材料層が設けられていることを特徴とする磁気メモリ素子。

IPC (3)：

G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32

FI (3)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32

F-Term (9)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049BA30