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J-GLOBAL ID：200903022600052739
半導体レーザ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991000638
Publication number (International publication number)：1994140720
Application date： Jan. 08, 1991
Publication date： May. 20, 1994
Summary：
【要約】【目的】大気汚染測定に利用できる小型,軽量の光源を実現する。【構成】計測用の光を発する第1の半導体レーザアレイと第1の半導体レーザアレイを励起するための励起光を発する第2の半導体レーザアレイを縦続配置して成り、第1の半導体レーザアレイの各活性領域のバンド間隔(禁制帯幅)が、アレイの端から順に減小または増加していく構成とした。
Claim (excerpt)：
同一の半導体基板上に多数のレーザ光を出射する第1のレーザアレイとなる第1のダブルヘテロ接合層と、該第1のレーザアレイを光励起するための第2のダブルヘテロ接合層から成る第2のレーザアレイとを設け、前記第2のレーザアレイを前記第1のレーザアレイに縦続して配置し、前記第1のダブルヘテロ接合層中の活性層のバンド間隔が、前記第2のダブルヘテロ接合層の活性層のバンド間隔よりも狭く、かつ前記第1のレーザアレイの発振波長が、該レーザアレイを構成するレーザのうち一番端に位置するものから順に、反対側の端に位置するものに向って順次、単調に増加または減小するように、変化していることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
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