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J-GLOBAL ID：200903022607275989

電界効果トランジスタ

Inventor： 川原田 洋
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000085947
Publication number (International publication number)：2001272372
Application date： Mar. 27, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：

【要約】【課題】 液体電解質をゲートとし、液体電解質の中で安定に動作する電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極3とドレイン電極6間にダイヤモンドの水素終端表面が露出したチャネル2と、このチャネル2の露出したダイヤモンドの水素終端表面を満たす液体電解質4からなるゲートとを備える。

Claim (excerpt)：

(a)ソース電極とドレイン電極間にダイヤモンドの水素終端表面が露出したチャネルと、(b)該チャネルの露出したダイヤモンドの水素終端表面に接触する液体電解質からなるゲートとを備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

G01N 27/414 ,  G01N 27/26 371 ,  H01L 29/80

FI (4)：

G01N 27/26 371 Z ,  G01N 27/30 301 V ,  G01N 27/30 301 Z ,  H01L 29/80 A

F-Term (8)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL10 ,  5F102GL11 ,  5F102GS04 ,  5F102GT10