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J-GLOBAL ID：200903022610920852
半導体ウェーハの熱処理方法及び熱処理装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992124280
Publication number (International publication number)：1993299428
Application date： Apr. 17, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウェーハの裏面の粗度や裏面上に形成される薄膜の種類や厚みに左右されずに、熱処理が行われる半導体ウェーハの温度を精度よく検出し、高精度の熱処理が可能な半導体ウェーハの熱処理装置を提供すること。【構成】 半導体ウェーハ14と放射率が既知のモニタ用ウェーハ15とを近接して設置し、両ウェーハの温度を同時に測定し、モニタ用ウェーハ15に対向して配置したパイロメータ11の測定値と、半導体ウェーハ14の温度を計測するパイロメータ10の測定値とを比較し、半導体ウェーハ14の放射率を求め、これに基づきパイロメータ10を較正し、この較正されたパイロメータ10の温度計を用いて半導体ウェーハ14の熱処理を行う構成にする。
Claim (excerpt)：
表面に1層以上の薄膜が形成された半導体ウェーハの温度を、非接触方式の温度計により、監視しながら、所定の温度条件で上記半導体ウェーハの熱処理を行う熱処理方法において、上記半導体ウェーハと同一材質であるが薄膜が形成されていないモニタ用ウェーハに半導体ウェーハを近接して設置し、両ウェーハの温度を同時に測定し、モニタ用ウェーハの温度を計測する温度計の測定値を用いて、半導体ウェーハの温度を計測する非接触方式の温度計の測定値を較正し、この較正された非接触方式の温度計を用いて上記半導体ウェーハを熱処理することを特徴とする熱処理方法。
IPC (3)：
H01L 21/324
, H01L 21/027
, H01L 21/66
