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J-GLOBAL ID：200903022623785253

半導体集積回路

Inventor： 山崎 英治 ,  田中 均 ,  中込 儀延 ,  衛藤 潤 ,  宮沢 一幸 ,  鈴木 幸英 ,  武者 辰紀 ,  青木 正和 ,  海老原 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993003878
Publication number (International publication number)：1994215571
Application date： Jan. 13, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【構成】センスアンプ駆動回路101はコンデンサC1,C1に電源電圧VCCを充電するためのスイッチ用MOSFET Q2,Q2 と並列に接続する電圧降圧回路BVDL,コンデンサC1及び降圧回路の出力端子とセンスアンプ駆動信号線CSPをつなぐスイッチ用MOSFET Q15 からなる。【効果】ピーク電流の低減,動作の高速化および、レイアウト面積の低減ができる。

Claim (excerpt)：

任意のレベルの電圧を供給する電源線、前記電源線に接続されその電圧より低い電圧を出力する電圧降圧手段、その出力に接続されたコンデンサ、前記電源線と前記出力の間に設けられた第1のスイッチ手段、および前記出力と負荷回路の間に設けられた第2のスイッチ手段よりなる負荷駆動回路を有し、前記第1のスイッチ手段は前記負荷回路の駆動前にオンし前記コンデンサに電源電圧を充電し、前記第2のスイッチ手段は前記負荷回路の駆動時にオンし前記負荷回路に電流を供給し、前記負荷回路の出力電圧が前記電圧降圧回路の出力電圧に達する直前に前記第1のスイッチ手段をオフするようにしたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2)：

G11C 11/409 ,  G11C 11/413

FI (2)：

G11C 11/34 353 E ,  G11C 11/34 335 A