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J-GLOBAL ID：200903022631825043

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 中村 修二 ,  岩佐 成人
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993310533
Publication number (International publication number)：1995162038
Application date： Dec. 10, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 InGaNを活性層とし、n型およびp型のGaAlNをクラッド層としたp-n接合型ダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、安定した発光輝度、発光出力を得ると共に、それらの特性をさらに高める。【構成】 基板1上に少なくともn型GaNよりなるコンタクト層2と、n型Ga<SB>1-X</SB>Al<SB>X</SB>N(0≦X≦1)よりなる第一のクラッド層3と、n型あるいはp型のGa<SB>1-Y</SB>In<SB>Y</SB>N(0<Y<1)よりなる活性層4と、p型Ga<SB>1-Z</SB>Al<SB>Z</SB>N(0≦Z≦1)よりなる第二のクラッド層5とが順に積層されており、第一のクラッド層3の電子キャリア濃度が1×10<SP>17</SP>/cm<SP>3</SP>〜1×10<SP>19</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲にすることにより、発光輝度、発光出力を向上させる。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくともn型GaNよりなるコンタクト層と、n型Ga<SB>1-X</SB>Al<SB>X</SB>N(0≦X≦1)よりなる第一のクラッド層と、n型あるいはp型のGa<SB>1-Y</SB>In<SB>Y</SB>N(0<Y<1)よりなる活性層と、p型Ga<SB>1-Z</SB>Al<SB>Z</SB>N(0≦Z≦1)よりなる第二のクラッド層とが順に積層された構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であり、前記第一のクラッド層の電子キャリア濃度が1×10<SP>17</SP>/cm<SP>3</SP>〜1×10<SP>19</SP>/cm<SP>3</SP>の範囲に調整されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18