Pat

J-GLOBAL ID：200903022633940770

半導体装置の製造方法及び製造装置

Inventor： 中石 雅文
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994245864
Publication number (International publication number)：1996111420
Application date： Oct. 12, 1994
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造方法及び製造装置に関し、大気中に被処理半導体基板を取り出したときのコロージョンの発生を防止し、信頼性の高い銅配線パターンを再現性良く形成する。【構成】 半導体基板上に層間絶縁膜1を介して設けたバリアメタル膜2とカバー膜4によって上下を挟まれたCu膜3を第1の処理室において塩素系反応ガスを用いたプラズマ・エッチングによりパターニングしたのち、半導体基板を大気中に晒すことなく第2の処理室に搬送して、水素プラズマ10中で処理する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に層間絶縁膜を介して設けたバリアメタル膜とカバー膜とによって上下を挟まれたCu膜を第1の処理室において塩素系反応ガスを用いたプラズマ・エッチングによりパターニングするプラズマ・エッチング工程と、前記プラズマ・エッチング工程後、前記半導体基板を大気中に晒すことなく第2の処理室に搬送し、水素プラズマ中で処理する水素プラズマ処理工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 R