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J-GLOBAL ID:200903022643392398

有機ゲート絶縁膜およびこれを用いた有機薄膜トランジスタ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (6): 八田 幹雄 ,  野上 敦 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸 ,  藤井 敏史
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003331767
Publication number (International publication number):2004115805
Application date: Sep. 24, 2003
Publication date: Apr. 15, 2004
Summary:
【課題】 有機薄膜トランジスタの製造において、有機活性膜の形成に有利な条件を提供し、素子特性を向上させうる有機ゲート絶縁膜およびこれを用いた有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 有機絶縁高分子に光配向基を導入して有機活性膜の配向を増加させることにより、電荷移動度を向上させながら、有機活性膜のグレインサイズを増加る。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
下記化学式(1)で表される有機絶縁高分子からなる有機ゲート絶縁膜:
IPC (4):
C08F222/40 ,  H01L21/312 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (5):
C08F222/40 ,  H01L21/312 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28
F-Term (46):
4J100AB07Q ,  4J100AB07S ,  4J100AM49P ,  4J100AM49R ,  4J100BA03R ,  4J100BA03S ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC43Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA06 ,  4J100DA55 ,  4J100JA44 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F058AG01 ,  5F058AH04 ,  5F110AA01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HL22 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 米国特許第5,946,551号明細書
  • 米国特許第6,232,157号明細書
Cited by examiner (2)

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