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J-GLOBAL ID：200903022655840868

発光ダイオード

Inventor： 黄 國欣
Applicant, Patent owner： 黄 國欣
Agent (1)： 竹本 松司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993354714
Publication number (International publication number)：1995202264
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 導体の電流の拡散を増加して発光効率が高く、また、GaPとGaAsの良好な界面により、生産効率が高い発光ダイオードを提供する。【構成】 第1導電性の半導体を基板とし、AlGaInPのダブルヘテロ体と第2導電性の二層からなる半導体のウインド層構造を有し、上記ダブルヘテロ体は、一層の第1導電性のAlGaInP、一層の中性のAlGaInP及び、一層の第1導電性のAlGaInPにより共同組成し、各層のAlGaInPは、OMVPEの技術を用いて、基板上に堆積する。また、ウインド層の部分は、一層のGaAsと一層のGaPで組成し、まず第1ウインド層のGaAs層のOMVPE技術でAlGaInPダブルヘテロ構造上に堆積し、第2ウインド層のGaP層を、OMVPE或いはVPE技術で、第1ウインド層上に堆積する。

Claim (excerpt)：

第1層である導電性の半導体基板と、この基板の一部表面に形成した一つの電極と、基板上に形成する第1導電性のAlGaInP下制限層と、この下制限層上に形成する一層の中性(undoped)のAlGaInP能動層と、この能動層上に形成する第2導電性のAlGaInP上制限層と、一つの、第1及び第2ウインド層の2層からなるウインド層構造であり、その第1ウインド層は上制限層の上に形成し、その材料は第2導電性を有し、かつそのポテンシャルは能動層より小さく、第2ウインド層は、第1ウインド層上に形成し、その材料は第2導電性を有し、かつポテンシャルは能動層より大きいものと、第2ウインド層上に形成するもう一つの電極と、から構成し、第1ウインド層の低ポテンシャル及び高導電性により電流の拡散を増強し、発光効率を高めた、発光ダイオード。