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J-GLOBAL ID：200903022657915903

少ない欠陥のための後CuCMP

Inventor： ジュイ-ラン リー ,  ツェ-ヨン ヤオ ,  フレッド シー. レデカー ,  ラジーヴ バジャジュ ,  ユタオ マー
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000252771
Publication number (International publication number)：2001156029
Application date： Aug. 23, 2000
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 表面の欠陥数が大幅に減少し、近接したライン間の漏洩が減少するようなCuおよびCu合金の平坦化を可能にする方法を提供する。【解決手段】 欠陥を減少させ、パッシベーションを行うために、またライン間の漏洩を減少させるため、Cuメタライゼーションは、CMPおよび障壁層の除去に続いて表面の欠陥を除去することにより処理される。ある態様は、CMPおよび障壁層を除去し、酸化銅を除去するためにクエン酸、水酸化アンモニウムおよび脱イオン水を含む溶液を使用してバフ研磨を行い、脱イオン水または抑制剤溶液を使用してリンスを行い、研磨スラリーを使用してバフ研磨を行い、脱イオン水または抑制剤溶液を使用してリンスを行うという連続的なステップを有する。

Claim (excerpt)：

銅(Cu)またはCu合金を含む表面を平坦化し、表面の欠陥を減少させる方法であって、ケミカルメカニカルポリシング(CMP)を行って、前記表面を平坦化するステップと、研磨スラリーを使用してバフ研磨を行うステップと、抑制剤溶液を使用してリンスを行うステップと、溶液を使用してバフ研磨を行い、酸化銅を除去するステップと、抑制剤を使用してリンスを行うステップと、を備える方法。

IPC (7)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304 648 ,  B24B 37/04 ,  C09K 3/14 550 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (9)：

H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/304 648 H ,  B24B 37/04 Z ,  C09K 3/14 550 Z ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/306 Q ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 配線形成方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-196198   Applicant：株式会社日立製作所