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J-GLOBAL ID：200903022665485225
半導体光素子アレイの作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992048467
Publication number (International publication number)：1993251738
Application date： Mar. 05, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 組成の異なる複数個の半導体光素子を同一基板上に気相成長法で形成する半導体光素子アレイの製造方法に関し、モノリシック集積型光素子アレイを一回の成長工程で得る技術を提供することを目的とする。【構成】 同一基板上に複数のIII族元素を含むIII-V族化合物半導体活性層を異なる組成で一表面上に有する半導体光素子アレイを作製する方法であって、基板上に幅の異なる選択成長用マスクを形成する工程と、前記選択成長用マスクに覆われていない基板表面上に気相成長法によりIII族元素混晶型III-V族化合物半導体層を結晶成長する工程とを含む。
Claim (excerpt)：
同一基板(1)上に複数のIII族元素を含むIII-V族化合物半導体活性層を異なる組成で一表面上に有する半導体光素子アレイを作製する方法であって、基板(1)上に幅の異なる選択成長用マスク(9)を形成する工程と、前記選択成長用マスクに覆われていない基板(1)表面上に気相成長法によりIII族元素混晶型III-V族化合物半導体層(21)を結晶成長する工程とを含む半導体光素子アレイの作製方法。
IPC (4)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01S 3/18
, H01S 3/25
