Pat

J-GLOBAL ID：200903022666048350

半導体薄膜の形成方法およびプラスチック基板

Inventor： ダラム パル ゴサイン ,  ジョナサン ウエストウォータ ,  野本 和正 ,  中越 美弥子 ,  碓井 節夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998011496
Publication number (International publication number)：1999102867
Application date： Jan. 23, 1998
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 非晶質半導体薄膜を多結晶化する際に、完全に多結晶化するための最適エネルギー値を有するパルスレーザビームを照射した場合においても膜破壊の虞れのない半導体薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 非晶質シリコン薄膜を形成する際に、前処理として下地のプラスチック製の基板11の表面および絶縁膜16a,16bにそれぞれパルスレーザビームを照射してレジストなどの揮発性汚染物質を除去する。これにより、薄膜形成時に揮発性汚染物質に起因して下地の基板11や絶縁膜16a,16bから放出される気体によって膜破壊が生ずる虞れがなくなる。また、基板11上にはガスバリア層12および熱的バッファ層13からなる保護層が形成され、基板11側から非晶質シリコン膜側へのガスの透過を阻止すると共に、エネルギービーム照射により発生する熱の基板11側への伝導を阻止する。非晶質シリコン薄膜にエネルギービームを照射して多結晶化する工程において、照射可能なエネルギービームのエネルギー強度は完全に多結晶化可能な最適エネルギー強度以上になる。

Claim (excerpt)：

基板上の面に影響を与えない程度の高いエネルギーを有するパルスレーザビームを照射することにより前記基板上の面に付着している汚染物質を除去する工程と、前記汚染物質が除去された基板上に非晶質半導体薄膜を形成する工程と、前記基板上に形成された非晶質半導体薄膜を多結晶化させる工程とを含むことを特徴とする半導体薄膜の形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 27/12 R ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z