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J-GLOBAL ID：200903022677270135
ドライエッチング方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992151290
Publication number (International publication number)：1993182935
Application date： May. 19, 1992
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】 良好な異方性エッチングを達成すること。【構成】 真空チャンバ1内にHBrガス及びHClガスの混合ガスを導入し、電極5、6間に高周波電力を印加すると共に紫外線ランプ7により紫外線を照射してプラズマを発生させ、これによりウエハWに対してエッチングを行う。側壁保護作用と除去作用とが夫々Br及びClに対して分担されていると推察され、これらの流量比をコントロールすることにより最適条件でエッチングを行うことができる。またHBrの流量比が多すぎると柱状の残渣が発生する一方、少なすぎると側壁が抉られてアンダーカットになることから混合ガスに対するHBrの流量比を例えば5%〜50%の範囲に設定する。ポリシリコン膜をエッチングする場合電極間隔は6〜8mmが好ましい。
Claim (excerpt)：
互いに対向する一対の電極の一方の電極上に、ポリシリコン露出層を含む被処理体を載置する工程と、臭素を含む第1のガスと、臭素以外のハロゲンを含む第2のガスとを含む混合ガスを、被処理体上に供給すると共に、前記一対の電極間に高周波電圧を印加して当該混合ガスをプラズマ化し、このプラズマにより当該ポリシリコン露出層をエッチングする工程と、を含むことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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