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J-GLOBAL ID：200903022678437688

高耐熱合成高分子化合物及びこれで被覆した高耐電圧半導体装置

Inventor： 菅原 良孝 ,  東海林 義和
Applicant, Patent owner： 関西電力株式会社 ,  株式会社ADEKA
Agent (4)： 山崎 宏 ,  大畠 康 ,  大森 忠孝 ,  東島 隆治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005019877
Publication number (International publication number)：2006206721
Application date： Jan. 27, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：

【課題】150°C以上の高温で使用するSiCなどのワイドギャップ半導体装置において、ワイドギャップ半導体素子の絶縁性を改善し、高耐電圧のワイドギャップ半導体装置を得る。【解決手段】ワイドギャップ半導体素子の外面を、合成高分子化合物で被覆する。この合成高分子化合物は、シロキサン(Si-O-Si結合体)による橋かけ構造を有する1種以上の有機珪素ポリマーAとシロキサンによる線状連結構造を有する1種以上の有機珪素ポリマーBとをシロキサン結合により連結させた有機珪素ポリマーC同士を、付加反応により生成される共有結合で連結させて三次元の立体構造に形成している。この合成高分子化合物に高い熱伝導性を有する絶縁性セラミックスの微粒子を混合し、熱伝導率を高くしている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

付加反応により生成される共有結合で連結し、三次元の立体構造を形成しうる高分子組成物であり、シロキサン(Si-O-Si結合体)による橋かけ構造を有する少なくとも1種の第1の有機珪素ポリマーと、シロキサンによる線状連結構造を有する少なくとも1種の第2の有機珪素ポリマーとを、シロキサン結合により連結させた、分子量が2万から80万である第3の有機珪素ポリマーの1種以上を含有することを特徴とする合成高分子化合物。

IPC (10)：

C08G 77/44 ,  C08K 3/14 ,  C08K 3/22 ,  C08K 3/28 ,  C08L 83/04 ,  H01L 31/12 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/744 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (11)：

C08G77/44 ,  C08K3/14 ,  C08K3/22 ,  C08K3/28 ,  C08L83/04 ,  H01L31/12 C ,  H01L29/91 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/74 C ,  H01L29/91 Z ,  H01L23/30 R

F-Term (41)：

4J002CP031 ,  4J002CP171 ,  4J002DB016 ,  4J002DE096 ,  4J002DE146 ,  4J002DF016 ,  4J002GQ05 ,  4J246AA03 ,  4J246AB02 ,  4J246BA02X ,  4J246BA020 ,  4J246BA12X ,  4J246BA120 ,  4J246BA14X ,  4J246BA140 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246CA24X ,  4J246CA240 ,  4J246CA260 ,  4J246CA40X ,  4J246CA400 ,  4J246GA01 ,  4J246HA66 ,  4M109AA01 ,  4M109EA10 ,  4M109EB12 ,  4M109GA10 ,  5F005AA03 ,  5F005AB03 ,  5F005AC02 ,  5F005AF02 ,  5F005CA01 ,  5F005GA01 ,  5F005GA02 ,  5F089AA10 ,  5F089AB03 ,  5F089AC02 ,  5F089CA01 ,  5F089CA21 ,  5F089DA14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特許第3395456号公報
  
• 特許第3409507号公報