Pat

J-GLOBAL ID：200903022685125748

電力半導体装置

Inventor： 藤原 享
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993075598
Publication number (International publication number)：1994291362
Application date： Apr. 01, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ヒートシンク用リードフレームを有する電力半導体装置において、放熱性を向上し、熱抵抗の低減を図る。【構成】 ヒートシンク用リードフレーム25を有する一次側リードフレーム21と、二次側リードフレーム22とが透光性樹脂32にて封止され、該透光性樹脂部32の外周が高熱伝導性の遮光性樹脂33にて封止されてなる電力半導体装置において、前記ヒートシンク用リードフレーム25は、電力制御用半導体素子搭載用リードフレーム接触部30及び遮光性樹脂接触部31からなり、それぞれ各部30,31は電力制御用半導体素子搭載用リードフレーム29及び遮光性樹脂33と接触させてなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ヒートシンク用リードフレームを有する一次側リードフレームと、二次側リードフレームとが透光性樹脂にて封止され、該透光性樹脂部の外周が高熱伝導性の遮光性樹脂にて封止されてなる電力半導体装置において、前記ヒートシンク用リードフレームは、電力制御用半導体素子搭載用リードフレーム接触部及び遮光性樹脂接触部からなり、それぞれ各部は電力制御用半導体素子搭載用リードフレーム及び遮光性樹脂と接触させてなることを特徴とする電力半導体装置。

IPC (9)：

H01L 31/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/48 ,  H01L 23/50 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 27/14 ,  H01L 29/74

FI (3)：

H01L 23/30 E ,  H01L 25/04 C ,  H01L 27/14 Z