Pat

J-GLOBAL ID：200903022689771970

光照射併用プラズマCVD法による硬質窒化ホウ素の製造法

Inventor： 小松正二郎 ,  守吉 祐介 ,  笠松 充男 ,  山田家和勝
Applicant, Patent owner： 科学技術庁無機材質研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992191693
Publication number (International publication number)：1994316402
Application date： Jun. 25, 1992
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高温高圧を用いない気相合成(CVD)法によって、窒化ホウ素結晶粒子からなる硬質窒化ホウ素を製造する。【構成】 アルゴン、ヘリウム及び水素の単独又は混合の作動ガス(A)を用いて、0.01〜100torrの圧力下で発生したプラズマ中に、作動ガスに対して0.01〜10体積%のホウ素源及び窒素源原料ガス(C)を導入して、プラズマ中で生成する活性種を300〜1100°Cに保持した基板3上に到達させると共に、基板表面の活性種に紫外光5を照射することにより、硬質窒化ホウ素膜及びその成長に必要な前駆体活性種となし、硬質窒化ホウ素を基板上に堆積させる。紫外光として、レーザー波長50〜400nm、レーザーパルス5Hz以上、レーザーエネルギー5〜1000mJ/cm2のものが好ましい。切削工具の表面コーティング、電子材料、発光ダイオード等への応用が期待される。

Claim (excerpt)：

アルゴン、ヘリウム及び水素の単独又は混合の作動ガスを用いて、0.01〜100torrの圧力下で発生したプラズマ中に、作動ガスに対して0.01〜10体積%のホウ素源及び窒素源原料ガスを導入して、プラズマ中で生成する活性種を300〜1100°Cに保持した基板上に到達させると共に、基板表面の活性種に紫外光を照射することにより、硬質窒化ホウ素膜及びその成長に必要な前駆体活性種となし、硬質窒化ホウ素を基板上に堆積させることを特徴とする硬質窒化ホウ素の製造法。