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J-GLOBAL ID：200903022692245244

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 大場 康夫 ,  波多野 吾紅
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995330425
Publication number (International publication number)：1996228049
Application date： Dec. 19, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】 p型ドープ層が所望の抵抗値を有するとともに、優れた性能を有するIII-V族化合物半導体を主成分とする半導体レーザーを提供する。【解決手段】 基板、前記基板上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする下部クラッド層、下部クラッド層の直上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする活性層、及び活性層の直上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする上部p型クラッド層を有する発振波長450nm以下の半導体レーザーである。前記上部p型クラッド層中に、MgとSiとが含有されていることを特徴とする。前記 III-V族化合物半導体としては、GaN系化合物半導体が好ましく、上部クラッド層中のSiの含有量は、好ましくは5×1018/cm3 以上である。

Claim (excerpt)：

基板、前記基板上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする下部クラッド層、下部クラッド層の直上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする活性層、および活性層の直上に形成され、 III-V族化合物半導体を主成分とする上部p型クラッド層を有する発振波長450nm以下の半導体レーザーにおいて、前記上部p型クラッド層中に、MgとSiとが含有されていることを特徴とする半導体レーザー。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/365

FI (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/365