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J-GLOBAL ID：200903022696425859

多孔性物質を用いた不揮発性ナノチャンネルメモリ素子

Inventor： 周 原 提 ,  林 珍 亨 ,  李 光 熙 ,  李 相 均
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (3)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫 ,  柏木 忍
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006029604
Publication number (International publication number)：2006222428
Application date： Feb. 07, 2006
Publication date： Aug. 24, 2006
Summary：

【課題】 電流が流れることが可能な金属ナノ粒子または金属イオンをナノチャンネルの内部に導入したメモリ層を用いることにより、一貫性のある電荷移動経路を確保して再現性に優れ且つ性能の一貫性を有するメモリ素子を実現すること。【解決手段】 下部電極、上部電極、および前記上部電極と前記下部電極との間に位置し、多孔性物質を含み、金属ナノ粒子または金属イオンを含むナノチャンネルを有するメモリ層を備える、メモリ素子を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

下部電極、 上部電極、および 前記上部電極と前記下部電極との間に位置し、多孔性物質を含み、金属ナノ粒子または金属イオンを含むナノチャンネルを有するメモリ層を備えることを特徴とする、メモリ素子。

IPC (3)：

H01L 27/10 ,  H01L 27/28 ,  H01L 51/05

FI (2)：

H01L27/10 451 ,  H01L27/10 449

F-Term (11)：

5F083FZ07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA60 ,  5F083PR12 ,  5F083PR23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開昭62-956882号公報
  
• 米国特許公開第2002-163057号明細書
  
• 米国特許第6,055,180号明細書
  
• 米国特許第2003-166602号明細書