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J-GLOBAL ID：200903022704570138

電磁界解析方法

Inventor： 辻 村 彰 宏 ,  関 根 秀 一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999160158
Publication number (International publication number)：2000346891
Application date： Jun. 07, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】 短い計算時間で精度よく電磁界解析を行う。【解決手段】 本実施形態の電磁界解析装置は、解析対象の一部に入力ポートと出力ポートを設定し、各ポートにおけるSパラメータ等を設定する(ステップS1)。次に、電界を計算した後(ステップS2)、入力波を演算する(ステップS3)。次に、入力波と反射係数S11との間で畳み込み積分を行って反射波と透過波を計算した後(ステップS4)、その計算結果を利用して磁界を計算する(ステップS5)。電界および磁界の計算回数nが最大値nmax未満であれば、ステップS1〜S5の処理を繰り返す。高周波回路等の高精度の解析が必要な領域はSパラメータを用いて詳細に解析を行い、アンテナや筐体などの放射を伴う領域は格子サイズを大きくしてFD-TD法等を用いて解析を行うため、電磁界解析に要する演算時間を短縮できる。

Claim (excerpt)：

解析対象の電磁界解析を行う電磁界解析方法において、解析対象中の少なくとも一箇所に設定された入力ポートにおけるSパラメータを設定する第1ステップと、前記入力ポートへの入力波を演算する第2ステップと、前記第1ステップで設定されたSパラメータと前記第2ステップで演算された入力波との間で畳み込み積分を行い、前記入力ポートにおける反射波を演算する第3ステップと、演算された前記反射波に基づいて解析対象の磁界を演算する第4ステップと、演算された前記磁界に基づいて解析対象の電界を演算する第5ステップと、を備えることを特徴とする電磁界解析方法。