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J-GLOBAL ID：200903022707234325

半導体用電極の作製方法

Inventor： 小沼 利光 ,  小山 潤 ,  ▲ひろ▼木 正明 ,  山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993354094
Publication number (International publication number)：1995201845
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体等の微細なパターンを有する配線を陽極酸化する際の、電圧印加されている配線とされていない配線との間の絶縁性を高め、電圧印加時間を変化させて特定の配線において形成される陽極酸化物の厚み異らせる。【構成】 化成溶液中に、陽極酸化される複数の配線が接続された陽極と該陽極に対向する陰極よりなる第1の電極対と、化成溶液中の不純物を収集するための第2電極対とを設け、前記陽極に接続された複数の配線のうち少なくとも1つの配線に対し、他の配線と異なった時間電圧を印加する。

Claim (excerpt)：

化成溶液中に、陽極酸化される複数の配線が接続された陽極と該陽極に対向する陰極よりなる第1の電極対と、化成溶液中の不純物を収集するための第2電極対とを設け、前記陽極に接続された複数の配線のうち少なくとも1つの配線に対し、電圧印加時間を他の配線と異ならせることを特徴とする半導体用電極の作製方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/786

FI (3)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 J ,  H01L 29/78 311 G