Pat

J-GLOBAL ID：200903022718050331

マイクロレンズ形成方法

Inventor： 若林 信一 ,  東郷 仁麿 ,  豊田 幸雄 ,  大木 芳正
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992118685
Publication number (International publication number)：1993136460
Application date： May. 12, 1992
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】 化合物半導体上へのマイクロレンズを簡易な工程でかつ高温プロセスを用いることなく形成する方法を提供する。【構成】 ホトレジスト13とシリコン酸化膜12とGaAs基板11の3層構造とする。ホトレジスト13をマスクとしてシリコン酸化膜12に転写する。シリコン酸化膜マスク14とGaAs基板11とを反応性イオンビームエッチング法により、塩素イオンビーム15を試料に対して照射する。シリコン酸化膜と基板であるGaAsは塩素イオンビーム15によってエッチングが進行する。ここで、マスクに覆われていない部分は基板と垂直方向に均一にあるエッチングレートで進む。もう一つのマスクに覆われている部分は、まずシリコン酸化膜がエッチングされるが、そのなかでもテーパのついた薄い部分の先端が先に完全にエッチングされる。そしてシリコン酸化膜が除去された部分のGaAs表面が露出する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板上に、第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜をエッチングして、前記膜の端にテーパーをもつ前記基板のエッチングマスクに加工する第1のエッチング工程と、前記化合物半導体基板と前記エッチングマスクとを方向性をもつ粒子線により、前記エッチングマスクがなくなるまでエッチングして、前記基板にマイクロレンズを形成する第2のエッチング工程とを有するマイクロレンズ形成方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  G02B 3/00 ,  H01L 21/302 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-161878
  
• 特開昭56-013782
  
• 特開昭57-143880
  
• 特開平1-302873