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J-GLOBAL ID：200903022750961680

洗浄方法

Inventor： 後藤 日出人 ,  丹生谷 貴行 ,  森 宏幸 ,  松永 裕嗣 ,  石原 福三郎 ,  木村 善哉 ,  外赤 隆二 ,  後藤 拓也 ,  青山 哲男 ,  安部 幸次郎
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  三菱瓦斯化学株式会社
Agent (1)： 大谷 保
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000309172
Publication number (International publication number)：2002113431
Application date： Oct. 10, 2000
Publication date： Apr. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】 被処理物表面の強固な付着物を、被処理物にダメージを与えずに容易に除去することができる洗浄方法を提供する。【解決手段】 酸化剤、キレート剤及びフッ素化合物を含有する洗浄剤を被処理物の表面に高速で流すことにより該表面を洗浄することを特徴とする洗浄方法である。

Claim (excerpt)：

酸化剤、キレート剤及びフッ素化合物を含有する洗浄剤を被処理物の表面に高速で流すことにより該表面を洗浄することを特徴とする洗浄方法。

IPC (9)：

B08B 3/08 ,  C11D 7/28 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/36 ,  C11D 7/50 ,  C11D 7/54 ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/304

FI (10)：

B08B 3/08 A ,  C11D 7/28 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/36 ,  C11D 7/50 ,  C11D 7/54 ,  C11D 7/60 ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/304 647 B

F-Term (21)：

3B201AA03 ,  3B201AA46 ,  3B201AB01 ,  3B201BB05 ,  3B201BB82 ,  3B201BB90 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201BB94 ,  3B201BB96 ,  3B201CB01 ,  3B201CC01 ,  3B201CC21 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003EB24 ,  4H003ED02 ,  4H003ED19 ,  4H003ED31 ,  4H003EE04 ,  4H003FA15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体表面洗浄剤及び洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-159893   Applicant：和光純薬工業株式会社
• レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-060219   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社
• 液処理槽および液処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224209   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体装置用洗浄剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-221564   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社
• フリップチップ実装物のフラックス除去用洗浄剤およびフリップチップ実装物の洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-225924   Applicant：荒川化学工業株式会社