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J-GLOBAL ID：200903022756009876

多結晶シリコンの製造方法

Inventor： 小松 善徳 ,  石井 正明 ,  高綱 和敏 ,  猿渡 康裕 ,  石川 延宏 ,  ▲廣▼田 大助
Applicant, Patent owner： 東燃化学株式会社 ,  東亞合成化学工業株式会社
Agent (1)： 池浦 敏明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992303011
Publication number (International publication number)：1994127918
Application date： Oct. 15, 1992
Publication date： May. 10, 1994
Summary：

【要約】【構成】 シリコン粒子を流動化させた流動層反応器内でモノシランを熱分解させてシリコン粒子上にシリコン析出させる多結晶シリコンの製造方法において、流動層反応器内に衝突材(好ましくは水平方向若しくは垂直方向に固定された棒又は外周を固定したリング)を設置し、形成凝集物を該衝突材に衝突させて破砕する。【効果】 本製造方法によると、高モノシラン濃度、高反応率という条件下においても、流動層内でのシリコン粒子の凝集が防止され、反応を長時間安定して継続することが可能となる。

Claim (excerpt)：

シリコン粒子を流動化させた流動層反応器内でモノシランを熱分解させてシリコン粒子上にシリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法において、流動層反応器内に衝突材を設置し、流動層内に形成されたシリコン粒子凝集物を該衝突材に衝突させて破砕することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。

IPC (3)：

C01B 33/02 ,  B01J 8/34 ,  C01B 33/029