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J-GLOBAL ID:200903022776544280

圧電素子の再生方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993154352
Publication number (International publication number):1994342946
Application date: May. 31, 1993
Publication date: Dec. 13, 1994
Summary:
【要約】【目的】 長期間使用して変位性能が低下した圧電素子の変位性能を回復する方法を提供する。【構成】 圧電素子の変位性能を回復する圧電素子の再生方法であって、(1)圧電素子に、駆動時に印加した電場方向と反対の方向に抗電界以上の電場を印加する、または(2)圧電素子に、圧電材料のキュリー温度以上の温度でアニール処理を施す。
Claim (excerpt):
圧電素子の変位性能を回復する圧電素子の再生方法であって、圧電素子に、駆動時に印加した電場方向と反対の方向に抗電界以上の電界を印加することを特徴とする圧電素子の再生方法。
IPC (2):
H01L 41/24 ,  H01L 21/326
FI (2):
H01L 41/22 B ,  H01L 41/22 Z

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