半導体素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高野明近
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998232911
Publication number (International publication number)：2000068239
Application date： Aug. 19, 1998
Publication date： Mar. 03, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体の製造時における、ダイシングによるチップの歪並びに汚れの除去を確実に行うこと。【解決手段】粘着シート8上に貼り付けた半導体ウエハをダイシングによりチップ分割する工程を含む半導体の製造方法において、粘着シート8を拡大して半導体チップ10間の間隔を拡げてからエッチングを行う。これによりチップ間にエッチング液が十分に浸透できるようにし、前記チップ分割の際に生ずるダイシング歪みを確実に除去し、その状態で前記チップの水洗、乾燥を行う。その際前記粘着シートの拡大率を最終出荷形態の拡大率と同等の拡大率まで拡大することにより、後工程における拡大工程を省略することができる。

Claim (excerpt)：

粘着シート上に貼り付けた半導体ウエハをダイシングによりチップ分割する工程を含む半導体の製造方法において、前記分割した半導体ウエハを貼り付けた粘着シートを拡大してチップ間の間隔を拡げ、続いて前記チップ分割の際に生ずるダイシング歪みをエッチングにより除去する、各工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/78 P , H01L 21/78 S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開昭49-108978
特開昭50-105074
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-181052 Applicant：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社

Cited by examiner (9)

特開昭49-108978
特開昭49-108978
特開昭50-105074

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