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J-GLOBAL ID：200903022781910847

結晶性硫化物薄膜及びその製造方法

Inventor： 武部 博倫 ,  森永 健次
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 平井 安雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002242735
Publication number (International publication number)：2004083933
Application date： Aug. 22, 2002
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：

【課題】本発明は、化学結合性に影響を受ける適切な特性を保持し、光誘起構造相転移の膜厚を極めて薄く生成した結晶性硫化物薄膜を提供する。【解決手段】ランタノイド硫化物又は遷移金属硫化物で構成される結晶性薄膜にレーザ光を照射して構造相転移が生じた結晶構造とすることにより、酸化物とセレン化物との中庸の物性を有することとなり、光部品・記録媒体・回路素子・センサー等について各特性を向上させると共に、光誘起構造相転移の膜厚を極めて薄くする加工を高精度且つ簡略化できる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板に対してYを含むランタノイド硫化物又は遷移金属硫化物を堆積して結晶性薄膜を形成し、当該結晶性薄膜へのレーザ光の照射により光誘起に基づく構造相転移が生じた結晶構造とすることを 特徴とする結晶性硫化物薄膜。

IPC (4)：

C23C14/06 ,  C01F17/00 ,  C01G1/12 ,  C23C14/58

FI (4)：

C23C14/06 D ,  C01F17/00 E ,  C01G1/12 ,  C23C14/58 C

F-Term (20)：

4G059AA08 ,  4G059AB09 ,  4G059AC30 ,  4G059EA10 ,  4G059EB04 ,  4G076AA03 ,  4G076AB03 ,  4G076BA04 ,  4G076BF10 ,  4G076BG05 ,  4G076CA10 ,  4G076DA04 ,  4G076DA11 ,  4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029BA51 ,  4K029CA05 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029GA00