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J-GLOBAL ID：200903022796375530

有機半導体素子及びその製造方法

Inventor： 吉澤 淳志
Applicant, Patent owner： パイオニア株式会社
Agent (1)： 藤村 元彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002205634
Publication number (International publication number)：2004047881
Application date： Jul. 15, 2002
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：

【課題】電極間の漏れ電流の発生を抑制した有機半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】有機半導体素子はソース電極及びドレイン電極間に挟持されかつキャリア移動性を有する有機半導体層を備え、さらに、有機半導体層に包埋されかつソース電極及びドレイン電極間に離間して並設された少なくとも2つの平面の各々に配置されかつ膜厚方向において配置された少なくとも2つの中間電極片からなるゲート電極を有する。有機半導体層の融解によりゲート電極が包埋される。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

ソース電極及びドレイン電極間に挟持されかつキャリア移動性を有する有機半導体層を備えた有機半導体素子であって、前記有機半導体層に包埋されかつ前記ソース電極及びドレイン電極間に離間して並設された少なくとも2つの平面の各々に配置されかつ膜厚方向において配置された少なくとも2つの中間電極片からなるゲート電極を有することを特徴とする有機半導体素子。

IPC (4)：

H01L29/80 ,  H01L51/00 ,  H05B33/14 ,  H05B33/26

FI (4)：

H01L29/80 V ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z ,  H01L29/28

F-Term (13)：

3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CC04 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ01 ,  5F102GS09