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J-GLOBAL ID：200903022819520622

p型▲II▼-▲VI▼族半導体用の勾配付組成オーミックコンタクト

Inventor： キウ,ジュン ,  デピュイド,ジェームス エム. ,  チェン,フワ ,  ハース,マイケル エー.
Applicant, Patent owner： ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー
Agent (1)： 石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1994518047
Publication number (International publication number)：1996506694
Application date： Jan. 18, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】基板、p型II-VI族半導体のデバイス層、および電極と、電極とデバイス層間のオーミックコンタクト層とを備えたII-VI族レーザダイオード。オーミックコンタクト層は、ZnTeを含有した組成勾配付化合物半導体を含む。デバイス層からオーミックコンタクト層までの距離の増加に伴って、上記化合物半導体中のZnTeの相対含有量が増加する。第1の実施態様においては、オーミックコンタクト層は、デバイス層の化合物半導体とZnTeとを含有する組成勾配付半導体合金を含む。第2の実施態様においては、オーミックコンタクト層は、デバイス層の化合物半導体の層間に挟まれたZnTe層を含む。第2の実施態様においては、デバイス層からオーミックコンタクト層までの距離の増加に伴って、ZnTeの層の厚さが増加し、またはデバイス層の化合物半導体の層の厚さが減少する。

Claim (excerpt)：

基板、 p型II-VI族化合物半導体デバイス層、 電極、および p型オーミックコンタクト層であって、上記デバイス層と電極との間にあって、第1化合物半導体とZnTe含有第2化合物半導体を含み、上記デバイス層からこのp型オーミックコンタクト層までの距離の増加に伴ってこのp型オーミックコンタクト層中の上記ZnTeの相対平均含有量が増加しているp型オーミックコンタクト層、を含む半導体装置。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/43 ,  H01L 33/00