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J-GLOBAL ID：200903022830081495

半導体センサの製造方法

Inventor： 小佐 保信 ,  友眞 衛
Applicant, Patent owner： 日本モトローラ株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995067079
Publication number (International publication number)：1996236788
Application date： Feb. 28, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 特殊な機器を使用することなく、位置合わせが容易で精度の高い、張り合わせ技術を用いた半導体センサの製造方法を提供する。【構成】 第一半導体基板1のいずれか一方面にダイヤフラム用の凹部3を形成するとともに、この凹部周辺の所定位置に当該凹部よりも深い位置あわせ用の凹部を形成し、これら凹部の形成された第一半導体基板1の一方面に絶縁膜7を有する第二半導体基板8を張り合わせるとともに、第一半導体基板1の他方の面を前記位置合わせ用の凹部が露出するまで研磨し、露出した凹部の位置に基づいて第一半導体基板の他方の面に圧力検出素子10を形成する。尚11は検出信号処理用集積回路である。

Claim (excerpt)：

第一半導体基板の一方面に、ダイヤフラム用の凹部と、この凹部よりも深い位置合わせ用の凹部とを形成する工程と、これら凹部の形成された前記第一半導体基板の一方面に第二半導体基板の一方面側を張り合わせる工程と、前記第一半導体基板の他方面を前記位置合わせ用の凹部が露出するまで研磨する工程と、露出した前記位置合わせ用の凹部の位置に基づいて、ダイヤフラム用の凹部に対応する位置に圧力検出素子を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体センサの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101

FI (2)：

H01L 29/84 B ,  G01L 9/04 101