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J-GLOBAL ID：200903022838445844
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991214891
Publication number (International publication number)：1993055228
Application date： Aug. 27, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：
【要約】【構成】アルミニウム配線2上の窒化シリコン膜3に形成された第1の開孔部6の内側に、第2の開孔部7を有するポリイミド膜5を形成し、開孔部7のアルミニウム配線2と接続し、且つポリイミド膜5の上に延在するチタン膜4,銅膜10,銅めっき膜8,金めっき膜9で構成されたバンプ電極を形成する。【効果】バンプ電極の側面の下部に、応力緩和用のポリイミド膜を介在させることにより、バンプ電極に外部リードを圧着させる際の圧力をポリイミド膜で緩和させ、表面保護膜に発生するクラックを防止する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に配置したアルミニウム配線と、前記アルミニウム配線を含む表面に設けて前記アルミニウム配線上に第1の開孔部を有する表面保護膜と、前記第1の開孔部を含む表面に設けて前記第1の開孔部の内側に第2の開孔部を有する緩衡膜と、前記第2の開孔部内のアルミニウム配線と接続し且つ前記緩衡膜と側面の下部を接するように形成された突起電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。
Patent cited by the Patent：
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