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J-GLOBAL ID：200903022851712487

半導体レーザ素子

Inventor： 吉年 慶一 ,  茨木 晃 ,  林 伸彦 ,  古沢 浩太郎 ,  田尻 敦志 ,  石川 徹 ,  松川 健一 ,  三宅 輝明 ,  後藤 壮謙
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993038561
Publication number (International publication number)：1994196810
Application date： Feb. 26, 1993
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 小さな非点隔差で且つ小さな動作電流値で自励発振を行う半導体レーザ素子を提供することを目的とする。【構成】 n型GaAs基板1と、このn型GaAs基板1上に形成したn型AlGaAs第1クラッド層2と、この第1クラッド層2上に形成された活性層3と、この活性層3上に形成したストライプ状のリッジ部を有するp型AlGaAs第2クラッド層5とを備え、前記第1クラッド層2中にn型AluGa1-uAs第1過飽和光吸収層3を有すると共に前記第2クラッド層5のp型第3AlGaAsクラッド層5a上にp型AluGa1-uAs第2過飽和光吸収層6を有し、且つこの第1、第2過飽和光吸収層3、6は発振波長エネルギーと等しいバンドギャップエネルギーをもつ構成とした。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板と、該半導体基板上に設けた第1導電型の第1クラッド層と、該第1クラッド層上に設けた活性層と、該活性層上に設けた第2導電型の第2クラッド層とを備え、前記第1、第2クラッド層は前記活性層より小さい屈折率及び大きいバンドギャップを有すると共に、前記第1、第2クラッド層の少なくとも一方の層中に発振波長エネルギーに略等しいエネルギーのバンドギャップを有する過飽和光吸収層を有したことを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭61-084891
  
• 特開昭56-088711
  
• 特開平2-148784
  
• 特開昭61-166724
  
• 特開平3-243463