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J-GLOBAL ID：200903022870702433

位相シフトマスク及び、それを用いたホールパターン形成方法

Inventor： 松岡 晃次 ,  勝山 亜希子 ,  小泉 太一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001126310
Publication number (International publication number)：2002323746
Application date： Apr. 24, 2001
Publication date： Nov. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 ポジレジストと、補助パターンを配置したマスクを用いて微細ホールパターンを形成する際、微細ホールパターンのレイアウトによっては補助パターンを配置できずに焦点深度(DOF)が劣化する。【解決手段】 ネガレジストと、補助パターンを配置したマスクを用いて微細ホールパターンを形成する。これによって孤立、密パターンともに焦点深度(DOF)の高い微細ホールパターンが形成される。

Claim (excerpt)：

ネガレジストを用いて微細ホールパターンを形成するためのハーフトーン型の位相シフトマスクであって、ホールパターンを形成するための本体パターンと、前記本体パターンの近傍に、解像しない寸法、及び透過率で形成された補助パターンと、を有することを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 Z

F-Term (5)：

2H095BA01 ,  2H095BB03 ,  2H095BB31 ,  5F046BA08 ,  5F046CB17