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J-GLOBAL ID：200903022873911351
化合物半導体単結晶
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997239420
Publication number (International publication number)：1999079899
Application date： Sep. 04, 1997
Publication date： Mar. 23, 1999
Summary：
【要約】【課題】 欠陥密度を十分に低減したII-VI族化合物半導体単結晶を得ることを課題とする。【解決手段】 周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体単結晶について、不純物としてホウ素(B)を積極的にドーピングした。好ましくは、5×1015atoms/cm3以上、1×1020atoms/cm3以下のドーピング量でホウ素(B)を添加すると良い。また、ホウ素(B)をドーピングする半導体結晶としてはZnSe,ZnTe,CdTeおよびその化合物を選択することができる。
Claim (excerpt)：
不純物としてホウ素(B)を積極的にドーピングしたことを特徴とする周期表第12(2B)族元素及び第16(6B)族元素からなる化合物半導体単結晶。
IPC (2)：
FI (2)：
C30B 29/48
, H01L 21/368 Z
