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J-GLOBAL ID:200903022883073893

中空デバイス及びその製造方法並びに中空デバイスを有する反応装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 菊池 新一 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002088547
Publication number (International publication number):2003311697
Application date: Mar. 27, 2002
Publication date: Nov. 05, 2003
Summary:
【要約】【課題】 nm〜μm単位の微細な直径を有する中空デバイスを簡易にかつ低コストで製造する。【解決手段】 金型1内に金属製糸3Aを、所定の形状に張った後、エポキシ樹脂を金型1内に充填して硬化させ、デバイス本体12を形成する。エポキシ樹脂の硬化後、デバイス本体12からチタン合金から成る金属製糸3Aを抜糸して、流路として機能する管状の中空部14を形成する。金属製糸3Aの表面に、摩擦係数の小さな材料を被覆をする。金属製糸3Aは、引っ張りにより弾性変形して、中空部14の内径よりも縮径する材料から形成する。中空部14は、nm〜μm単位の微小な直径を有する。
Claim (excerpt):
デバイス本体と前記デバイス本体の内部に形成された中空部とを備えた中空デバイスであって、前記デバイス本体は本体用材料を硬化又は固化させることにより形成され、前記中空部は前記本体用材料の硬化又は固化前に前記中空部の形成位置に設置され前記本体用材料の硬化又は固化後に前記デバイス本体から除去される中空部形成部材により形成されることを特徴とする中空デバイス。
IPC (3):
B81C 1/00 ,  B01J 19/00 321 ,  B81B 1/00
FI (3):
B81C 1/00 ,  B01J 19/00 321 ,  B81B 1/00
F-Term (5):
4G075AA39 ,  4G075AA62 ,  4G075EB21 ,  4G075EC06 ,  4G075FA01

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