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J-GLOBAL ID：200903022897016078

II-VI族化合物半導体素子用電極及びその形成方法

Inventor： 上村 卓 ,  上羽 良信
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996281996
Publication number (International publication number)：1998126003
Application date： Oct. 24, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】 II-VI族化合物半導体素子のp型II-VI族化合物半導体層との接触抵抗を低減させ、界面のエネルギー障壁の小さなp型電極及びその形成方法を提供しようとするものである。【解決手段】 II-VI族化合物半導体層上に設ける電極において、V,W,Mo,Cr,Fe,Ru及びReの群から選択される1つ以上の元素の酸化物で構成したII-VI族化合物半導体素子用電極である。

Claim (excerpt)：

II-VI族化合物半導体素子に用いる電極において、該電極をV,W,Mo,Cr,Fe,Ru及びReの群から選択される1つ以上の元素の酸化物で構成したことを特徴とするII-VI族化合物半導体素子用電極。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/28 301 B