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J-GLOBAL ID:200903022900437985

ダイヤモンド基板およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 内田 明 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991218408
Publication number (International publication number):1993058783
Application date: Aug. 29, 1991
Publication date: Mar. 09, 1993
Summary:
【要約】【目的】 トランジスタ、センサー等の各種半導体デバイス、絶縁膜、超硬工具に用いる高硬度被膜として利用できる新規な構成のダイヤモンド基板及びその製造方法を提供する。【構成】 本発明は燐化硼素基板の上にダイヤモンド層を有してなるダイヤモンド基板及び燐化硼素層上ににダイヤモンド層を成長させることを特徴とするダイヤモンド基板の製造方法であり、高純度で大面積の平滑なダイヤモンド基板または単結晶ダイヤモンド基板を大量且つ安価に提供できる。
Claim (excerpt):
燐化硼素基板上にダイヤモンド層を有してなるダイヤモンド基板。
IPC (2):
C30B 29/04 ,  C01B 31/06

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