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J-GLOBAL ID：200903022904122482

半導体レーザ

Inventor： 近藤 正彦 ,  丹羽 敦子 ,  魚見 和久 ,  佐川 みすず
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994296210
Publication number (International publication number)：1996195522
Application date： Nov. 30, 1994
Publication date： Jul. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、ΔEcが十分に大きい材料系を使用する事により、環境温度が変化しても特性がほとんど変化しないの光通信用半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 n-GaP基板1、n-GaPクラッド層2、光ガイド層3、5及びGaNAs量子井戸層4から構成される単一量子井戸活性層6、p-GaPクラッド層7により構成されている。【効果】 本発明により、25°Cから85°Cの範囲におけるToが100Kを越える高温動作特性の優れた光通信用半導体レーザを提供することができる。

Claim (excerpt)：

GaPまたはSi基板上に光を発生する活性層と光を閉じ込めるクラッド層と発生した光からレーザ光を得るための共振器構造を有する半導体レーザにおいて、温度特性を示すToが100K以上であることを特徴とする半導体レーザ。