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J-GLOBAL ID：200903022926828877
マスクパターン設計方法及びフォトマスク
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998065107
Publication number (International publication number)：1999258770
Application date： Mar. 16, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】精度の良い最適な補助パターンの寸法を簡便に決定する。【解決手段】露光波長λの光源を持ち、投影レンズの開口数NAの投影露光装置によりライン幅W”の設計パターンをウェハ上に転写する場合に用いられるフォトマスクのパターンを設計するマスクパターン設計方法において、前記マスクパターンとして前記設計パターンに対応する主パターンに、該主パターンのウェハ上換算したライン幅をW’とすると、前記露光波長λ及び前記開口数NAにより規格化された規格化ライン幅W=W’/(λ/NA)に応じて転写後のパターン先端位置が所望通りに仕上がるように予め定められた規格化ライン幅方向寸法値sa及び規格化ライン長方向寸法値sbに基づいて、前記主パターンの先端からウェハ上換算してsb’=sb×λ/NAまでをウェハ上換算してsa’=sa×λ/NAだけ変化させるべく発生させた補助パターンを付加する。
Claim (excerpt)：
露光波長λの光源を持ち、投影レンズの開口数NAの投影露光装置によりライン幅W”の設計パターンをウェハ上に転写する場合に用いられるフォトマスクのパターンを設計するマスクパターン設計方法において、前記マスクパターンとして、前記設計パターンに対応する主パターンに、該主パターンのウェハ上換算したライン幅をW’とすると、前記露光波長λ及び前記開口数NAにより規格化された規格化ライン幅W=W’/(λ/NA)に応じて転写後のパターン先端位置が所望通りに仕上がるように予め定められた規格化ライン幅方向寸法値sa及び規格化ライン長方向寸法値sbの関係に基づいて、前記主パターンの先端からウェハ上換算してsb’=sb×λ/NAまでをウェハ上換算してsa’=sa×λ/NAだけ変化させるべく発生させた補助パターンを付加することを特徴とするマスクパターン設計方法。
IPC (2)：
FI (2)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (2)
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特開昭57-022240
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特開昭57-022240
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