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J-GLOBAL ID：200903022927506261
薄膜ガスセンサおよびその駆動方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
友松 英爾 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993353703
Publication number (International publication number)：1995198645
Application date： Dec. 29, 1993
Publication date： Aug. 01, 1995
Summary：
【要約】【目的】 本発明によりヒータ及び電極と支持体の熱膨張の違いにより発生する応力を緩和することで反りを防ぎ、個体間の温度制御を安定化させる構造の張出し部を有する薄膜ガスセンサ及び薄膜ガスセンサの支持体上下ヒータ部をパルス駆動することにより、駆動時の変位を防ぎ、安定した温度制御を可能にする駆動方法を提供する。【構成】 基板、前記基板上に空中に張り出して設けられた張り出し部、前記基板および張り出し部のうちの少なくとも張り出し部上に支持体(絶縁層)、該支持体に形成されたガス検出用の金属酸化物半導体層、該金属酸化物半導体層に接触する電極、該電極リードにほぼ並置して設けられたヒータを有するガスセンサにおいて、前記基板および張り出し部のうちの少なくとも張り出し部の支持体(絶縁層)下部に応力緩和用の層を形成させたことを特徴とする薄膜ガスセンサ。
Claim (excerpt)：
基板、前記基板上に空中に張り出して設けられた張り出し部、前記基板および張り出し部のうちの少なくとも張り出し部上に支持体(絶縁層)、該支持体上に形成されたガス検出用の金属酸化物半導体層、該金属酸化物半導体層に接触する電極、該電極にほぼ並置して設けられたヒータを有するガスセンサにおいて、前記基板および張り出し部のうちの少なくとも張り出し部の支持体(絶縁層)下部に応力緩和用の層を形成させたことを特徴とする薄膜ガスセンサ。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (1)
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