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J-GLOBAL ID：200903022953969008
エッチング方法およびこのエッチング方法を用いた半導体レーザの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994169272
Publication number (International publication number)：1995086698
Application date： Jul. 21, 1994
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 リッジ底部の広がりを抑えることにより、しきい値電流が低く、横モードが安定な半導体レーザを製造する。【構成】 n型半導体基板101上にn型クラッド層106、活性層107、第一のp型クラッド層108、エッチング停止層105、第二のp型クラッド層104を順次エピタキシャル成長する。ストライプ状に形成されたマスク102を用いてリッジを形成する。この際、第一段階として拡散律速性エッチング液を用いて、第二のp型クラッド層104の途中までエッチングする。第二段階として、エッチング停止層105に対して選択性を持つエッチング液を用いてエッチングを行う。この構成によりリッジ底部の広がりを抑えかつエッチング深さを一定にすることができ、しきい値電流が低く横モードが安定な半導体レーザを製造することができる。
Claim (excerpt)：
第1の半導体層と該第1の半導体層の上面に接触する第2の半導体層と含む多層構造を、半導体基板上にエピタキシャル成長させる工程と、該多層構造上にマスクを形成する工程と、拡散律速型の第1のエッチング液を用いて、該第2の半導体層の一部を選択的にエッチングする第1エッチング工程と、該第1の半導体層よりも該第2の半導体層を優先的にエッチングする第2のエッチング液を用いて、該第2の半導体層を該第1の半導体層の該上面に至るまでエッチングする第2エッチング工程と、を包含するエッチング方法。
IPC (3)：
H01S 3/18
, H01L 21/306
, H01L 33/00
