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J-GLOBAL ID：200903022954993360
半導体加速度センサおよびその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993249055
Publication number (International publication number)：1995104000
Application date： Oct. 05, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半導体加速度センサの信頼性および生産歩留りを高める。【構成】 シリコン基体から一体加工され、おもり,支持枠部およびおもりと支持枠部とを連結する梁を有し、梁の上面に半導体ストレインゲージが形成されているシリコン検出体と、シリコン検出体の上部に設けられた窪みを有する上部ガラスと、シリコン検出体の下部に設けられた窪みを有する下部ガラスとが3層に接合されている半導体加速度センサである。上部ガラスの窪みを囲む周縁部の一部の高さが他の部分より低く、この高さの低い周縁部とシリコン検出体との隙間が2μm以下である。
Claim (excerpt)：
シリコン基体から一体加工され、おもり、支持枠部および該おもりと支持枠部とを連結する梁を有し、さらに該梁の上面に半導体ストレインゲージが形成されているシリコン検出体と、該シリコン検出体の上部に設けられ、前記おもりが変位可能なように窪みを有する上部ガラスと、前記シリコン検出体の下部に設けられ、前記おもりが変位可能なように窪みを有する下部ガラスとを具え、前記シリコン検出体の支持枠部が前記上部ガラスおよび前記下部ガラスとそれぞれ接合されている半導体加速度センサにおいて、前記上部ガラスの窪みを囲む周縁部の一部の高さが他の部分より低く、該高さの低い周縁部と前記シリコン検出体との隙間が2μm以下であることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2)：
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