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J-GLOBAL ID：200903022962847810

プラズマプロセス装置

Inventor： 馬渕 博嗣 ,  小町 恭一
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992102184
Publication number (International publication number)：1993275397
Application date： Mar. 26, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 試料表面のレジストをダメージフリーで効果的に均一性良くアッシングする。【構成】 マイクロ波を伝送する導波管に連結された誘電体線路と対向して反応器1を設け、該反応器1内を複数の孔17が設けられた仕切壁13により区分してガス供給管3を連結したプラズマ生成室14と、アッシング対象の試料(ウェハ)Sを載置する試料台16を備える試料処理室15とを形成し、また前記仕切壁13は反応器1の周壁とは絶縁状態とする。

Claim (excerpt)：

マイクロ波発振器と、マイクロ波を伝送する導波管と、該導波管に連結された誘電体線路と、該誘電体線路に対向して配置されるマイクロ波の導入窓を有する反応器とを具備してなり、前記反応器内部が誘電体線路に対向し複数の孔を有する仕切壁により、プラズマを生成するプラズマ生成室と試料を載置する試料台を備え試料を処理する試料処理室とに区切られたプラズマプロセス装置において、前記仕切壁が絶縁物で形成されていることを特徴とするプラズマプロセス装置。

IPC (3)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027 ,  H05H 1/46