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J-GLOBAL ID：200903022963507380

半導体集積回路用ヒューズ

Inventor： 竹内 信善
Applicant, Patent owner： 日本鋼管株式会社
Agent (1)： 長谷川 和音
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996234166
Publication number (International publication number)：1998079434
Application date： Sep. 04, 1996
Publication date： Mar. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】基板にダメージを与えることなく1回のレーザ照射で確実に溶断される半導体集積回路用ヒューズ構造を提供する。【解決手段】基板と、基板上に設けられるヒューズメタル7及びその近傍に設けられるダミーヒューズメタル8により構成される。このヒューズ構造のヒューズメタル7とダミーメタル8は絶縁膜5で覆われ、ヒューズメタル7とダミーメタル8の中心付近で、絶縁膜5の側面は接するように構成される。レーザ光照射時、ヒューズメタル7とダミーヒューズメタル8間中心から互いに外向きの力が発生し、両ヒューズメタル7、8は互いに反対方向へ飛散する。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に設けられるヒューズメタルパターン及びその近傍に設けられるダミーメタルパターン、を具備することを特徴とする半導体集積回路用ヒューズ構造。