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J-GLOBAL ID：200903022964824087

シヨツトキ-バリアダイオ-ド

Inventor： 蒲原 敦彦 ,  山岸 秀章 ,  鈴木 順一 ,  菅 久子
Applicant, Patent owner： 横河電機株式会社
Agent (1)： 小沢 信助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991248085
Publication number (International publication number)：1993090566
Application date： Sep. 26, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電流量を低下させることなくブレ-クダウン電圧の耐圧の向上をはかるか,または,ブレ-クダウン電圧はそのままにして電流量を向上させたショットキ-バリアダイオ-ドを提供する。【構成】 高濃度の不純物を含む一導電形の半導体基板上に同導電型の単結晶層が形成され,その単結晶層の厚さよりも浅い深さの所定領域を逆導電形の層で囲ってカ-ドリングが形成され,前記カ-ドリング内にショットキ-電極を形成してなるショットキ-バリアダイオ-ドにおいて,前記ガ-ドリングおよびショットキ-電極の深さを同一に形成する。

Claim (excerpt)：

高濃度の不純物を含む一導電形の半導体基板上に同導電型の単結晶層が形成され,その単結晶層の厚さよりも浅い深さの所定領域を逆導電形の層で囲ってカ-ドリングが形成され,前記カ-ドリング内にショットキ-電極を形成してなるショットキ-バリアダイオ-ドにおいて,前記ガ-ドリングおよびショットキ-電極の深さを同一に形成したことを特徴とするショットキ-バリアダイオ-ド。