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J-GLOBAL ID：200903022967248087

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 林田 茂樹 ,  柿本 誠三 ,  岩田 浩 ,  松岡 俊匡 ,  中野 雅行
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995257699
Publication number (International publication number)：1996339970
Application date： Oct. 04, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【解決手段】 シリコン窒化膜を介して不純物イオンを注入し、シリコン窒化膜を除去した後、大気解放なしでチタン膜を形成し、シリサイド化反応を行う。【効果】 チタン-シリコン系シリサイド反応において極力酸素の影響を排除することが可能となり、0.2μm以下の微細配線においても低抵抗で耐熱性に優れたチタンシリサイド膜を形成できる。更に、p型半導体のシリサイド化と比較し、n型半導体のシリサイド化はシリサイド反応が阻害されシート抵抗値が高くなり、耐熱性に関しても悪くなるという現象も無くなり、p型及びn型半導体とも一様な膜厚のチタンシリサイド膜を形成することが可能となる。

Claim (excerpt)：

(a)シリコン半導体基板上にシリコン窒化膜を形成し、(b)シリコン半導体基板の所望の領域に不純物イオンを注入し、その際シリコン半導体基板の表面層に、不純物イオンの注入と共にシリコン窒化膜からの窒素原子とシリコン原子を混入することからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (6)：

H01L 21/265 K ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/265 H ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 27/08 321 F